您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

一键发布采购 上传BOM
上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:
您现在的位置:首页 > G字母型号搜索 > G字母第33页 > GWM160-0055P3

GWM160-0055P3中文资料

  • 大小:79.49KB
  • 厂家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
  • 标准包装:20
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:ISOPLUS-DIL?
  • 供应商设备封装:ISOPLUS-DIL?
  • 包装:管件

GWM160-0055P3供应商

更新时间:2023-01-03 16:57:12
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购GWM160-0055P3进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的GWM160-0055P3信息由会员自行提供,GWM160-0055P3内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买GWM160-0055P3产品风险,建议您在购买GWM160-0055P3相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"委托宝交易服务",买卖都安全。